Интегральные микросхемы (аналоговые и импульсные), как одна из составляющих частей РЭА

Название:
Интегральные микросхемы (аналоговые и импульсные), как одна из составляющих частей РЭА
Тип работы:
реферат
Размер:
2.62 МБ
21
Скачать

Электрическое моделирование ИС может быть как расчетно-теоретическим, так и натурным (экспериментальным) (последнее обычно дополняет первое). Расчетно-теоретическое моделирование в свою очередь подразделяется на аналитическое и машинное. В основе аналитического моделирования лежат известные аналитические преобразования, используемые в теории цепей. При машинном моделировании на ЦВМ используются арифметические операции сравнения, перебора. При расчетно-теоретическом моделировании в качестве исследуемого объекта применяются как принципиальная, так и эквивалентная схемы. При натурном моделировании используется только принципиальная схема.

В заключение остановимся на классификации используемых на практике элементов принципиальных электрических схем, приведенной на рис. 2. Эти элементы прежде всего характеризуются числом полюсов (входов и выходов электрического тока). Существуют двухполюсные (резисторы, конденсаторы, диоды), трехполюсные (транзисторы, RC-структуры), четырёхполюсные (трансформаторы, тиристоры) и в общем случае n-полюсные элементы. С ростом числа полюсов конструктивная сложность элемента и его возможности преобразования сигнала, как правило, существенно возрастают; одновременно увеличивается гибкость управления режимом работы.

Элементы делятся на пассивные и активные. Пассивные элементы, обладающие положительным сопротивлением (), расходуют мощность полезного сигнала, чаще всего рассеивая ее в виде тепловых потерь. Активные элементы усиливают мощность полезного сигнала, преобразуя энергию источников питания в энергию полезного сигнала. Знак и величина угла сдвига фаз между током и напряжением сигнала на каждом полюсе элемента определяют его импеданс. В общем случае он будет комплексным.